Mengyuan HUA

清华大学物理学学士(2009-2013)
香港科技大学电子与计算机工程学博士(2013-2017)
香港科技大学电子与计算机工程学博士后(2017-2018)

本课题组主要研究工作集中在宽禁带半导体材料与器件, 包括器件工艺与制备、特性表征、器件物理分析和可靠性研究、 电路集成及应用等方向。课题负责人在国际重要会议(如IEDM,ISPSD等) 和高水平期刊(IEEE EDL, IEEE TED等)近五年发表论文50余篇,获2017年IEEE ISPSD最佳青年学者奖, 连续获IEEE TED金牌审稿人,研究成果被Semiconducter Today、AIE等权威业界杂志报道。


Reseatch Interest

与硅半导体材料相比,以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料具有更大的禁带宽度、 更高的击穿电场、更高的电子迁移率和饱和迁移速度等优异的物理性质 (表1), 是制备新一代高性能功率器件的优选材料。因为优越的材料特性,GaN基功率器件可以突破 传统硅器件性能的理论极限,在相同的阻断电压下实现更低的比导通电阻,可广泛应用于新 能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域,被视 为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术。仅未来5年(2019年-2023年), GaN功率器件在快速充电、雷达、数据中心、无线充电、新能源汽车的全球市场容量就可达 数十亿美元,而总体的全球市场容量可达数百亿美元。目前GaN市场正处于快速增长的 关键起步阶段,拥有广阔的发展前景。


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